Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 154А; Idm: 634А; 133Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NTMFS3D0N08XT1G
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTMFS3D0N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 133Вт
Струм стока: 154А
Струм стоку в імпульсі: 634А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

2,55 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1109,99 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Connector: wire-board; plug; female; data; MAS-CON; PIN: 9; 3.96mm
Connector: wire-board; plug; female; data; MAS-CON; PIN: 9; 3.96mm

40,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
9
Недоступний
Резистор: thin film; 106Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 106Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,62кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,62кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Аксесуари: захисна кришка; -65÷105°C; прямий; 2,54мм; чорний
Аксесуари: захисна кришка; -65÷105°C; прямий; 2,54мм; чорний

65,89 грн

Колір:
чорний
Матеріал:
термопласт
Матеріал корпусу:
термопласт
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 3А; 120нс; SMPC,TO277A; Ufmax: 1,9В
Діод: випрямний; SMD; 800В; 3А; 120нс; SMPC,TO277A; Ufmax: 1,9В

19,26 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
SMPC; TO277A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD