Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 205А; Idm: 1158А; 341Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN1R8-80SSFJ
479,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN1R8-80SSFJ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 222нКл
Корпус: LFPAK88; SOT1235
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 341Вт
Струм стока: 205А
Струм стоку в імпульсі: 1158А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 432Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 432Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 1,96кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 1,96кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 1,76кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,76кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 600мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 600мА

750,76 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
перегрівання OTP
Connector: wire-wire; male; data; XA; PIN: 13; polyamide; 3A; natural
Connector: wire-wire; male; data; XA; PIN: 13; polyamide; 3A; natural

36,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
13
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; THT; 3A; 250V

268,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 6А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 6А

159,02 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
30000 цикли
Зовнішні розміри:
28x5x15мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл