1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 400А; Idm: 1600А; 468,8Вт; TOLL

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 400А; Idm: 1600А; 468,8Вт; TOLL
Немає в наявності
Код товару: WMLL013N08HGS
100,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMLL013N08HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 243,6нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 1,35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 468,8Вт
Струм стока: 400А
Струм стоку в імпульсі: 1,6кА
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 120мОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 120мОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CSN

3,13 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; Iвих: 1А; 4,35В
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; Iвих: 1А; 4,35В

98,83 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер зарядки акумуляторів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
4,35В
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Резистор: thick film; 698Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 698Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
M40; 1,5; IP65; латунь; металевий; Стійкість до: промені УФ
M40; 1,5; IP65; латунь; металевий; Стійкість до: промені УФ

1550,31 грн

Type of cable gland:
cable
Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
8мм
Зовнішній діаметр проводу:
33...34,5мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0402

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 510Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
PG21; IP68; поліамід; темно-сірий; UL94V-2; GWconnect
PG21; IP68; поліамід; темно-сірий; UL94V-2; GWconnect

213,51 грн

Type of cable gland:
cable
Вид різьблення:
PG
Зовнішній діаметр проводу:
13...18мм
Клас герметичності:
IP68
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD