Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 66А; Idm: 330А; 2,8Вт

Немає в наявності
Код товару: DMT8008LPS-13
29,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMT8008LPS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 41,2нКл
Корпус: PowerDI5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,8Вт
Струм стока: 66А
Струм стоку в імпульсі: 330А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 133кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 133кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 100мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 100мкФ; 100ВDC; ±20%

68,42 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V

116,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -48А; 462Вт; 260нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -48А; 462Вт; 260нс

743,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
103нКл
Корпус:
TO247-3
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP48; 1,62÷3,63ВDC; 8кБSRAM,64кБFLASH
IC: мікроконтролер ARM; TQFP48; 1,62÷3,63ВDC; 8кБSRAM,64кБFLASH

118,47 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
GPIO; I2C; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
38
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; EcoGen®; EcoCable Mini®; 15x22AWG; MPPE; темно-сірий; 300В
Провід; EcoGen®; EcoCable Mini®; 15x22AWG; MPPE; темно-сірий; 300В

40307,96 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
EcoGen®
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD