1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Немає в наявності
Код товару: IRFBF20LPBF
78,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFBF20LPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: I2PAK; TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 900В
Опір в стані провідності: 8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54Вт
Струм стока: 1,1А
Струм стоку в імпульсі: 6,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 24нГн; 500мА; R: 0,22Ом; ±5%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 24нГн; 500мА; R: 0,22Ом; ±5%; LQW; 180мм

3,74 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
24нГн
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 430кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; -55÷125°C
Резистор: thin film; 430кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Модель:
ESD
Недоступний
IC: driver; контролер LED; 4-wire SPI; VFQFPN48; 85мА; Ch: 16; PWM
IC: driver; контролер LED; 4-wire SPI; VFQFPN48; 85мА; Ch: 16; PWM

240,75 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер LED
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
85мА
Властивості інтегральних мікросхем:
PWM
Недоступний
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 255кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 255кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Тримач; пригвинчуваний; нержавіюча сталь; натуральний; Вис: 4,4мм
Тримач; пригвинчуваний; нержавіюча сталь; натуральний; Вис: 4,4мм

53,85 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
монтаж кабельних стягувань
Висота:
4,4мм
Діаметр монтажного отвору:
4,4мм
Довжина:
22,6мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 100мкГн; 180мА; R: 1,538Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 100мкГн; 180мА; R: 1,538Ом; ±20%; LQH

8,55 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1812
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
80нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл