Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,9А; Idm: 12А; 51Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: FQPF5N90
134,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQPF5N90
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 900В
Опір в стані провідності: 2,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 51Вт
Струм стока: 1,9А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 12Вт; 90÷264ВAC; OUT: 1; 1А
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 12Вт; 90÷264ВAC; OUT: 1; 1А

584,14 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Вихідна напруга:
12В; 12В DC
Вихідний струм:
1А
Зовнішні розміри:
54,6x25,4x17,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 7,98кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 7,98кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
7,98кОм
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 160МГц; UFQFPN48; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 160МГц; UFQFPN48; 1,71÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DSP; FPU; MPU; PVD; PWM; RTC; TRNG; watchdog
Інтерфейс:
CAN FD; I2C x4; LPUART; SAI; SPI x3; UART; USART x2; USB
Недоступний
Резистор: thick film; 604кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 604кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; SMD; 4ВDC; B; 1411; ±20%
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; SMD; 4ВDC; B; 1411; ±20%

15,97 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
B
Корпус - дюйм:
1411
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; DIP; THT; ККД: 88%; Uізол: 2,25кВ; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; DIP; THT; ККД: 88%; Uізол: 2,25кВ; OUT: 1

Використання:
IT
Вихідна напруга:
3,3В
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Резистор: thin film; 36,1кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 36,1кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD