Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; TO270G-2; 16,2Вт; 17,6дБ; 22%

Немає в наявності
Код товару: AFT20S015GNR1
2059,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: AFT20S015GNR1
Виробник: NXP
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: RF
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Вихідна потужність: 16,2Вт
ККД: 22%
Корпус: TO270G-2
Монтаж: SMD
Підсилення: 17,6дБ
Поляризація: польовий
Тип транзистора: N-MOSFET
Частота: 2140МГц
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; WF16; 500В
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; WF16; 500В

335,15 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Зовнішній діаметр проводу:
5...6,5мм
Резистор: thin film; 36кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 36кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

5,20 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 1,91кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,91кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

35,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0805; 750мВт; ±5%; SG73P; 400В
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0805; 750мВт; ±5%; SG73P; 400В

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 68Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0; 75В

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; DPDT; Iконтактів max: 20А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; DPDT; Iконтактів max: 20А

684,87 грн

Електрична стійкість:
200000 цикли
Зовнішні розміри:
27,7x20,7x35,8мм
Кількість пін:
8
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Резистор: thin film; 82,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 82,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK