Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 15А; 543Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFH15N100P
646,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH15N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 97нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 760мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 543Вт
Струм стока: 15А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 16А; у корпусі; Дл: 0,25м; синій
Вимірювальний провід: одинарний; 16А; у корпусі; Дл: 0,25м; синій

410,54 грн

Відповідність стандарту:
CAT III 1000V; EN 61010
Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір:
синій
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В

2,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 11,3кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 11,3кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

10,96 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal film; 28кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 28кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм

1,19 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 13,7Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 13,7Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
13,7Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 6,42кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 6,42кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 11,8кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 11,8кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT