Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 26А; 780Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXFK26N100P
1761,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK26N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 197нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 390мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 780Вт
Струм стока: 26А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 45В; 45А; Idm: 160А; 41,7Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 45В; 45А; Idm: 160А; 41,7Вт; QFN3X3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
14нКл
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RS73G; 150В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RS73G; 150В

0,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 8,45кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 8,45кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

50,68 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 69кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 69кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Реактор: дротяний; SMD; 1мГн; 110мА; ±10%; Ø: 5мм; 11,5Ом; H: 3мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мГн; 110мА; ±10%; Ø: 5мм; 11,5Ом; H: 3мм

17,11 грн

Високосортність:
40
Висота:
3мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 51,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 51,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 110А; 694Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 110А; 694Вт; TO247-3

538,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
157нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO3P; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO3P; 95нс

499,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 28А; 695Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 28А; 695Вт; TO247-3

513,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; 160Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; 160Вт; ISOPLUS247™

532,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; 320Вт; TO247-3; 350нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; 320Вт; TO247-3; 350нс

460,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
35нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 44А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 44А; 1250Вт; TO264

846,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
185нКл
Корпус:
TO264