Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO3P; 95нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFQ60N25X3
499,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFQ60N25X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 320Вт
Струм стока: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 95нс
Резистор: thin film; 249Ом; 1,63x0,81x0,84мм
Резистор: thin film; 249Ом; 1,63x0,81x0,84мм

117,21 грн

Опір:
249Ом
Розміри корпусу:
1,63x0,81x0,84мм
Тип резистора:
thin film
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 3÷3,6ВDC; 3,4МГц; SOIC8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 3÷3,6ВDC; 3,4МГц; SOIC8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба

84,26 грн

Вид пам’яті:
енергозал.
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
QFN20
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin

465,03 грн

Діаметр проводу макс.:
11,6мм
Застосування роз’ємів:
D-Sub 25pin; D-Sub HD 44pin
Матеріал корпусу:
метал
Модель роз’єму:
екранований
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 100V

32,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Connector: PCB to PCB; female; data; PIN: 40; vertical,straight
Connector: PCB to PCB; female; data; PIN: 40; vertical,straight

16172,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота після з'єднання:
15,24мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3