1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO3P; 95нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO3P; 95нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFQ60N25X3
499,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFQ60N25X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 320Вт
Струм стока: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 95нс
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 2,2нГн; 1400мА; R: 0,018Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 2,2нГн; 1400мА; R: 0,018Ом; LQW; 180мм

2,14 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5nH
Індуктивність:
2,2нГн
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 12,1Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 12,1Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Маркер: кабельний; Маркування: 4; 1,3÷3мм; ПВХ; жовтий; CLI C; H: 3мм
Маркер: кабельний; Маркування: 4; 1,3÷3мм; ПВХ; жовтий; CLI C; H: 3мм

3,41 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Висота:
3мм
Зовнішній діаметр проводу:
1,3...3мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц

0,00 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
GQFN8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC

278,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT