Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 250В; 100А; 600Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IXFH100N25P
676,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH100N25P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 100А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 60,4Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 60,4Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,57 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT323
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT323

1,46 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Корпус:
SOT323
Недоступний
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 1А; 640мА; Igt: 10мА; Compak
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 1А; 640мА; Igt: 10мА; Compak

31,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
Compak
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 4,32кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 4,32кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 10кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

462,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO3P
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А

209,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB