Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 100А; 1890Вт; 200нс

Немає в наявності
Код товару: IXFB100N50P
1627,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFB100N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 240нКл
Корпус: PLUS264™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 49мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1890Вт
Струм стока: 100А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Резистор: thin film; 43кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 43кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; RN73H; 75В

19,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 8,2В; SMD; DO213AB,MELF glass; 50мкА
Діод: зенера; 1Вт; 8,2В; SMD; DO213AB,MELF glass; 50мкА

694,37 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
8,2В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: провід-провід; вилка; PIN: 1; прямий; затискання; 5А; nylon
Роз’єм: провід-провід; вилка; PIN: 1; прямий; затискання; 5А; nylon

0,00 грн

Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
1
Колір:
натуральний
Максимальна напруга:
250В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,8пФ
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 9,1кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 9,1кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,37 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 240кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 240кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

462,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO3P
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А

209,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB