Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 12А; 200Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFA12N50P
135,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFA12N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 12А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 2,7÷5ВDC; SC70-5; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 2,7÷5ВDC; SC70-5; 9мВ

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1нА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB