1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD80R1K0CEATMA1
72,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 5,7А
Технологія: CoolMOS™ CE
Тип транзистора: N-MOSFET
Фільтр: проти перешкод; SMD; 50ВDC; 20А; 12,1x9,1x3,5мм
Фільтр: проти перешкод; SMD; 50ВDC; 20А; 12,1x9,1x3,5мм

273,06 грн

Використання фільтрів:
Як фільтри проти перешкод в імпульсних блоках живлення
Діелектрична міцність:
125В
Монтаж:
SMD
Опір ізоляції мін.:
10мОм
Недоступний
Дисплей: LCD; графічний; 240x64; STN Negative; синій; 180x65x17мм
Дисплей: LCD; графічний; 240x64; STN Negative; синій; 180x65x17мм

0,00 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
графічний
Вид контролера:
T6963C
Інтерфейс:
8bit BUS
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 6; М8 "мама"; кутовий; 2м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 6; М8 "мама"; кутовий; 2м; вилка; 30ВDC

706,41 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
6
Клас герметичності:
IP67; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

5,70 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
3,9кОм
Резистор: thin film; 3,57кОм; 1206; 400мВт; -55÷155°C; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 3,57кОм; 1206; 400мВт; -55÷155°C; 10ppm/°C

20,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Модель:
ESD
Реактор: керамічний; SMD; 0805; 82нГн; -55÷125°C
Реактор: керамічний; SMD; 0805; 82нГн; -55÷125°C

1,96 грн

Індуктивність:
82нГн
Корпус - дюйм:
0805
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V

157,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

363,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK

257,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
407нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,8нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В