Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IXFH16N50P
366,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH16N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 16А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Резистор: metal film; 820мОм; THT; 1,2Вт; ±5%; 500В; Ø3,9x10мм
Резистор: metal film; 820мОм; THT; 1,2Вт; ±5%; 500В; Ø3,9x10мм

3,77 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
Ø3,9x10мм
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 1м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 4А; Жили: 5
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 1м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 4А; Жили: 5

1225,93 грн

Використання:
харчова промисловість
Довжина кабелю:
1м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 226Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 226Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 14÷160ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 12А
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 14÷160ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 12А

10487,22 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
12А
Вхідна напруга:
14...160В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thin film; 169кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 169кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 14,4÷15,9В; 18,6А; двоспрямована; ±5%; SOD123F
Діод: TVS; 0,4кВт; 14,4÷15,9В; 18,6А; двоспрямована; ±5%; SOD123F

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
13В
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 10ВDC; Ø5x5,4мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 10ВDC; Ø5x5,4мм; ±20%

1,36 грн

Висота:
5,4мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB