1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDA69N25
219,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDA69N25
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,1мкКл
Корпус: TO3PN
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 41мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 44,2А
Струм стоку в імпульсі: 276А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 60,4кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 60,4кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; пригвинчуваний; SOT227B; 200Вт; ±5%
Резистор: thick film; 6,8кОм; пригвинчуваний; SOT227B; 200Вт; ±5%

5094,41 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
SOT227B
Монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.500ВAC; макс.250ВDC; PG13,5
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.500ВAC; макс.250ВDC; PG13,5

826,15 грн

Вид головки:
гумове ущільнення; пружина, загальна довжина 101,5мм
Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC

58,92 грн

Виводи:
до лютування
Кількість пін:
4
Конструкція:
одна обмотка
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; 0402; 63мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 470кОм; 0402; 63мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс

530,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс

227,45 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
1,07мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3

727,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В