Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 500В; 60А; 1040Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IXFH60N50P3
539,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH60N50P3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 96нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,04кВт
Струм стока: 60А
Технологія: HiPerFET™; Polar3™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; R: 24мОм; ±20%; 5,5А; ферит; H: 4,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; R: 24мОм; ±20%; 5,5А; ферит; H: 4,5мм

11,66 грн

Висота:
4,5мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; X8G; ±5%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; X8G; ±5%; SMD; 0402; 180мм

5,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.9mm; GKS-100; steel; 2N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.9mm; GKS-100; steel; 2N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
0,9мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.240ВAC; IP20; 26x34x21мм
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.240ВAC; IP20; 26x34x21мм

1103,65 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP20
Конфігурація виходу:
NO + NC
Резисторна зборка: X; 1кОм; ±2%; Кіл-ть резисторів: 9; 0,2Вт; THT
Резисторна зборка: X; 1кОм; ±2%; Кіл-ть резисторів: 9; 0,2Вт; THT

11,40 грн

Властивості резисторів:
один pin резисторів на загальному виводі
Допуск:
±2%
Кількість резисторів:
9
Корпус:
SIP
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37МОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,37МОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 24А; 660Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 24А; 660Вт; TO247-3

754,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36,5А; 23,5Вт; TO251B; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36,5А; 23,5Вт; TO251B; ESD

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
TO251B
Модель:
ESD