Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 150А; 714Вт; TO3P

Немає в наявності
Код товару: IXTQ150N15P
500,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,19мкКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 714Вт
Струм стока: 150А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 150нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм

856,56 грн

Висота:
90мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1,5мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

3,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C

136,85 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 400ВAC; 2кВDC; 10мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 400ВAC; 2кВDC; 10мм; ±10%; MKT

11,59 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Недоступний
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷5мм; 10÷36ВDC; M18; 5м; 200мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷5мм; 10÷36ВDC; M18; 5м; 200мА

3155,73 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...5мм
Довжина відводів:
5м
Загальна довжина:
40мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 4,7МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC

278,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT