Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 200В; 120А; 714Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXTK120N20P
641,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTK120N20P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 152нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 714Вт
Струм стока: 120А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 180нс
Контролер крокового двигуна; DRV8825; 1,5А; Uвх двиг: 8,2÷45В
Контролер крокового двигуна; DRV8825; 1,5А; Uвх двиг: 8,2÷45В

1014,95 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вхідна напруга двигуна:
8,2...45В
Вхідна напруга логічної частини:
2,5...5,25В
Вхідний безперервний струм на канал:
1,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 8,98кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 8,98кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 50В; Ufmax: 1,1В; If: 15А; THT
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 50В; Ufmax: 1,1В; If: 15А; THT

12,67 грн

Виводи:
дріт Ø1,1мм
Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; пластиковий корпус з радіатором
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 536Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%; RN73R; 150В
Резистор: thin film; 536Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%; RN73R; 150В

29,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 5А; 23Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 5А; 23Вт; TO220FP

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO262

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB

375,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264

964,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
545нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
182нКл