1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMP14N60C2
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMP14N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 405мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 11А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 196Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 196Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
196Ом
Конденсатор: керамічний; 2,2мкФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 2,2мкФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

12,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Висота:
1,9мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
База до підключення; Полюси: 4; 400А; зовнішня; вставна
База до підключення; Полюси: 4; 400А; зовнішня; вставна

21980,51 грн

Застосування - серія/виробник:
EB2 400; EB2 630; ED2 400; ED2 630
Кількість полюсів:
4
Модель:
вставна
Монтаж:
зовнішня
Недоступний
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; MillerDrive™; SOP14
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; MillerDrive™; SOP14

79,83 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-2,5...2,5А
Захист:
мінімальна напруга UVP
Недоступний
Резистор: thick film; 4,87Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,87Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

3,40 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 3300мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 3300мкФ; 6,3ВDC; ±20%

28,38 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB

375,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264

964,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
545нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 110А; 694Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 110А; 694Вт; TO247-3

538,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
157нКл