Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 200В; 74А; 480Вт; TO268

Немає в наявності
Код товару: IXTT74N20P
357,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT74N20P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 107нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 34мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 74А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 160нс
Недоступний
Резистор: thick film; 2,05кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 2,05кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; 27пФ; 100ВDC; C0G (NP0); ±5%; THT; 5,08мм
Конденсатор: керамічний; 27пФ; 100ВDC; C0G (NP0); ±5%; THT; 5,08мм

5,77 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
2,54мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 3,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8ARB
Резистор: thin film; 3,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8ARB

23,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт

338,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
26,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 340А; 75Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 340А; 75Вт; DPAK

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
SOT223