1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFL110TRPBF
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,3нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,54Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 0,96А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; 18,5А; PIN: 7
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; 18,5А; PIN: 7

126,08 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
9,9мм
Електричний монтаж:
PCB; THR; THT
Недоступний
Реактор: котушка; SMD; 0805; 1мкГн; 2,4А; R: 85мОм; ±20%
Реактор: котушка; SMD; 0805; 1мкГн; 2,4А; R: 85мОм; ±20%

10,64 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 10,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 10,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 260мкГн; 3А; R: 140мОм; 32x13x32мм
Реактор: дротяний; THT; 260мкГн; 3А; R: 140мОм; 32x13x32мм

236,95 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Індуктивність:
0,26мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,14Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 32,4Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 32,4Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3МОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3МОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В

0,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 1,2кВ; If: 51А; Ifsm: 270А
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 1,2кВ; If: 51А; Ifsm: 270А

2474,03 грн

Виводи:
дріт Ø1,5мм
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD