1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 300В; 88А; 600Вт; TO3P

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 300В; 88А; 600Вт; TO3P
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTQ88N30P
767,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ88N30P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 180нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 88А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Роз’єм: затискна планка; роз'єм живлення; OMNIMATE; 22,8А; 630В
Роз’єм: затискна планка; роз'єм живлення; OMNIMATE; 22,8А; 630В

329,45 грн

Alias:
LMFV 7.50/16/90 3.5SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
17,3мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 7,68Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,68Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,39 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Кабель; slim,USB 3.1; RJ45 вилка,USB C вилка; нікельований; 10м
Кабель; slim,USB 3.1; RJ45 вилка,USB C вилка; нікельований; 10м

1540,17 грн

Будова екрану:
екранований; плівка Al
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид проводу:
F/UTP
Недоступний
Резистор: thin film; 33,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 33,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Діод: перемикальний; SMD; 75В; 0,2А; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 75В; 0,2А; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний
Ємність:
2пФ
Зворотна напруга макс.:
75В
Недоступний
Резистор: thin film; 133кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 133кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 5А; 23Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 5А; 23Вт; TO220FP

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO262

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB

375,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264

964,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
545нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
182нКл