Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 200В; 96А; 600Вт; TO3P

Немає в наявності
Код товару: IXTQ96N20P
311,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ96N20P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 145нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 96А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 160нс
Кабель; H03VVH2-F; 2x0,75мм2; CEE 7/16 (C) вилка,проводи; ПВХ
Кабель; H03VVH2-F; 2x0,75мм2; CEE 7/16 (C) вилка,проводи; ПВХ

172,33 грн

Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
H03VVH2-F
Вид проводу:
H03VVH2-F
Довжина кабелю:
1,8м
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 125В; 0,5А; SOD80; Ufmax: 1В; Ifsm: 4А
Діод: перемикальний; SMD; 125В; 0,5А; SOD80; Ufmax: 1В; Ifsm: 4А

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
6пФ
Зворотна напруга макс.:
125В
Корпус:
SOD80
Недоступний
Резистор: thick film; 79,8кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 79,8кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
79,8кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 0402; 333мВт; ±1%; SG73P; 75В
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 0402; 333мВт; ±1%; SG73P; 75В

0,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 12,7мм; 0,5"; Кільк.зн: 3; 20мкд; анод
Дисплей: LED; 7-сегментний; 12,7мм; 0,5"; Кільк.зн: 3; 20мкд; анод

36,75 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
12,7мм, 0,5"
Довжина хвилі λd:
567...576нм
К-ть знаків:
3
Недоступний
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,5м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,5м; тросик

432,72 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thin film; 120кОм; прецизійний; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 120кОм; прецизійний; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,1%

8,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3

261,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт

243,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
GC (TO247AD); TO247AD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А

454,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
183нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А

166,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247PLUS
Монтаж:
THT