1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 8А; 100Вт

Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 8А; 100Вт
Немає в наявності
Код товару: IXTP4N80P
146,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 14,2нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 3,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 3,6А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Технологія: PolarHV™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 560нс
Конденсатор: полімерний; 270мкФ; 16ВDC; THT; ±20%; Ø8x12мм; 13мОм
Конденсатор: полімерний; 270мкФ; 16ВDC; THT; ±20%; Ø8x12мм; 13мОм

77,93 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
270мкФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
15пФ
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 160мм; 12м; IP65,IP67; EOS4 X; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 160мм; 12м; IP65,IP67; EOS4 X; 24ВDC

29188,45 грн

Висота:
160мм
Властивості датчиків:
захист руки
Дальність:
12м
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1954,51 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,416А
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 1000мкФ; 2,5ВDC; Y
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 1000мкФ; 2,5ВDC; Y

281,30 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Корпус:
Y
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 680Ом; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

1,33 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
680Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 630В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 630В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

3,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB