Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 0,6А; 42Вт; TO263; 900нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA06N120P
323,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA06N120P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 34Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 0,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Недоступний
Резистор: thin film; 453Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 453Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805

1,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Кабель; 2м; BNC "папа",з обох сторін; чорний; 50Ом
Кабель; 2м; BNC "папа",з обох сторін; чорний; 50Ом

900,91 грн

Вид кабелю:
RG58
Довжина кабелю:
2м
Імпеданс:
50Ом
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 215Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 215Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
PG21; IP68; polyamide; grey; UL94V-2; 18.6mm; Cable gland: cable
PG21; IP68; polyamide; grey; UL94V-2; 18.6mm; Cable gland: cable

112,77 грн

Type of cable gland:
cable
Вид різьблення:
PG
Зовнішній діаметр проводу:
13...18мм
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Резистор: thick film; 487Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 487Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
487Ом
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт

1202,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
137нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,2нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
12,3нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48нКл