1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 6А; 300Вт; TO268; 850нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 6А; 300Вт; TO268; 850нс
Немає в наявності
Код товару: IXTT6N120
574,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT6N120
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 850нс
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама",з обох сторін; вилка; 60В
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама",з обох сторін; вилка; 60В

755,20 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Модуль: тиристорний; одиночний тиристор; 1,6кВ; 130А; ECO-PAC 2
Модуль: тиристорний; одиночний тиристор; 1,6кВ; 130А; ECO-PAC 2

1970,35 грн

Виводи:
дріт Ø1,5мм
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА

170,43 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 523Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 523Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 223кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 223кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А

834,39 грн

Зовнішні розміри:
35x35x54,4мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
3PDT
Макс. напруга котушки:
121В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD