1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,5кВ; 12А; 890Вт; TO268; 1,2мкс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,5кВ; 12А; 890Вт; TO268; 1,2мкс
Немає в наявності
Код товару: IXTT12N150
798,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT12N150
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,5кВ
Опір в стані провідності: 2,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1,2мкс
Недоступний
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 8,45кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,45кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
8,45кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603; 180мм

1,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 49,9кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В
Резистор: thick film; 49,9кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
IC: джерело еталонної напруги; 2,5В; ±0,08%; SO8; туба; 30мА
IC: джерело еталонної напруги; 2,5В; ±0,08%; SO8; туба; 30мА

748,86 грн

Вид упаковки:
туба
Допуск:
±0,08%
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Лічильник: електромеханічний; робочий час; механічний покажчик
Лічильник: електромеханічний; робочий час; механічний покажчик

2118,60 грн

Вид вжитого дисплея:
механічний покажчик
Висота дисплея 1:
3,6мм
Діапазон підраховування:
99999,9ч
Електричне під'єднування:
конектори 6,3мм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 20А; HFK9; 37,4Ом
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 20А; HFK9; 37,4Ом

458,06 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
30000 цикли
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
20А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD