Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,5кВ; 3А; 125Вт; ISO247™; 1,5мкс

Немає в наявності
Код товару: IXTJ6N150
757,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTJ6N150
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 67нКл
Корпус: ISO247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,5кВ
Опір в стані провідності: 3,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1,5мкс
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,67 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Конденсатор: поліпропиленовий; 150нФ; 400ВDC; 12x6,5x11,4мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 150нФ; 400ВDC; 12x6,5x11,4мм; THT

6,46 грн

Діаметр виводів:
0,6мм
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THT; 3A; 250V

218,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 215Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 215Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А

821,72 грн

Зовнішні розміри:
35x35x54,4мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
264В AC
Провід; OZ-500; OZ; 2x1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; тросик
Провід; OZ-500; OZ; 2x1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; тросик

84,90 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
OZ
Недоступний
Резистор: thin film; 47,5Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 47,5Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 5А; 23Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 5А; 23Вт; TO220FP

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO262

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB

375,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264

964,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
545нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
182нКл