1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,5кВ; 4А; 280Вт; TO263; 900нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,5кВ; 4А; 280Вт; TO263; 900нс
Немає в наявності
Код товару: IXTA4N150HV
1113,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA4N150HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 44,5нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,5кВ
Опір в стані провідності: 6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 280Вт
Струм стока: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 68000мкФ; 63ВDC; Вив: болтове; 2000г
Конденсатор: електролітичний; 68000мкФ; 63ВDC; Вив: болтове; 2000г

2607,71 грн

Виводи:
болтове
Висота:
120мм
Діаметр:
76,2мм
Ємність:
68мФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1812

32,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

2,52 грн

Alias:
KGM21BCG2A120FT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Резистор: thin film; 63,4Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 63,4Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 30ВAC; 60ВDC; 35А; синій
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 30ВAC; 60ВDC; 35А; синій

129,88 грн

Engineering PN:
931714102
Колір:
синій
Матеріал ізоляції:
поліамід
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; LQFP64; 1,7÷3,6ВDC; STM32F4
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; LQFP64; 1,7÷3,6ВDC; STM32F4

420,68 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DSP; FPU; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
CAN x3; full duplex; I2C x3; SAI; SDIO; SPI x5; UART x3; USART x4; USB OTG
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,6пФ
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт

255,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK