Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,7кВ; 2,6А; 63Вт; TO3PF

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STFW3N170
302,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STFW3N170
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: TO3PF
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,7кВ
Опір в стані провідності: 7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 2,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Амортизатор; 7,8÷8,8мм; 2B; чорний
Амортизатор; 7,8÷8,8мм; 2B; чорний

439,69 грн

Застосування - серія/виробник:
2B
Зовнішній діаметр проводу:
7,8...8,8мм
Колір:
чорний
Тип аксесуарів для роз’ємів:
амортизатор
Недоступний
Резистор: thin film; 12,4Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 12,4Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
IC: цифровий; 4 to 16 line,декодер,защілка; IN: 4; CMOS; SMD; SO24
IC: цифровий; 4 to 16 line,декодер,защілка; IN: 4; CMOS; SMD; SO24

60,19 грн

Вид об'єднаної схеми:
4 to 16 line; декодер; защілка
Корпус:
SO24
Монтаж:
SMD
Сімейство:
CD4000
Недоступний
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC

17,36 грн

Допуск:
±15%
Ємність:
10нФ
Робоча напруга:
11В
Робоча температура:
-55...150°C
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: датчик температури; -55÷150°C; WSON8; SMD; Точність: ±0,1°C
IC: датчик температури; -55÷150°C; WSON8; SMD; Точність: ±0,1°C

124,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Діапазон вимірювання температури:
-55...150°C
Інтерфейс:
single-wire
Корпус:
WSON8
Недоступний
Резистор: thin film; 19,6кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 19,6кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

42,45 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™