Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,3А; Idm: 8А; 1,3Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMN10H220L-7
8,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN10H220L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,22Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 1,3А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,37Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: metal film; 4,3кОм; 1Вт; ±1%; HOLCO; 100ppm/°C; аудио
Резистор: metal film; 4,3кОм; 1Вт; ±1%; HOLCO; 100ppm/°C; аудио

92,18 грн

Використання:
аудио
Властивості резисторів:
низька індуктивність; низький шум
Допуск:
±1%
Опір:
4,3кОм
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight

4,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; ±20%; P; 13,5x12,6x4,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; ±20%; P; 13,5x12,6x4,7мм

20,53 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,6x4,7мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD