Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А; 131,6Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB043N10HGS
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB043N10HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 98,4нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 131,6Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X7S; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X7S; ±10%; SMD; 0805

5,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,76Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,76Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 220Ом; SMD; 1А; 0603; R: 150мОм; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 220Ом; SMD; 1А; 0603; R: 150мОм; BLM

2,71 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
220Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8мкФ; 16В; X7S; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8мкФ; 16В; X7S; ±10%; SMD; 0805

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Недоступний
Провід; THERMFLEX® 180 EWKF; 5G0,75мм2; тросик; Cu; силікон
Провід; THERMFLEX® 180 EWKF; 5G0,75мм2; тросик; Cu; силікон

287,63 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
IEC 60332-1-2; IEC 60754-1
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6