Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 128А; Idm: 512А; 127,5Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB128N10T2
67,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB128N10T2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 127,5Вт
Струм стока: 128А
Струм стоку в імпульсі: 512А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 115Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 115Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
115Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 33,2Ом; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33,2Ом; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,97 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: wire-board; plug; female; data; MAS-CON; PIN: 17; 2.54mm
Connector: wire-board; plug; female; data; MAS-CON; PIN: 17; 2.54mm

62,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
17
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; CQ; 50В

0,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,8В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,8В

17,74 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вихідна напруга:
1,8В
Вихідний струм:
0,7А
Вхідна напруга:
1,9...5,5В
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11,8Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
11,8Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NQ; 75В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NQ; 75В

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD