1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 129А; Idm: 402А; 127,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 129А; Idm: 402А; 127,5Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB129N10T2
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB129N10T2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 91нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 127,5Вт
Струм стока: 129А
Струм стоку в імпульсі: 402А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2А; DIP24
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2А; DIP24

3853,91 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; мінімальна напруга UVP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт

9,12 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 1А
Резистор: thick film; 3,9Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 1А

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,9Ом
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x38мм; осьовий; 12ВDC; 126,58м3/г; 51,5дБА
Вентилятор: DC; 80x80x38мм; осьовий; 12ВDC; 126,58м3/г; 51,5дБА

677,27 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thin film; 1,62кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,62кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА

342,12 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
42мА
Відповідність стандарту:
CE
Вхідна напруга:
36...75В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,51нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; 198Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; 198Вт; TO263

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 67А; 33Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD