Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12А; 48Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFI540GPBF
121,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFI540GPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 77мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: TVS; 0,4кВт; 17,8÷19,7В; 15,3А; односпрямована; SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 17,8÷19,7В; 15,3А; односпрямована; SMA

15,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
16В
Корпус:
SMA
Недоступний
Роз’єм: живлення AC; гніздо; штекерний; роз'єм живлення; 6А; 5200
Роз’єм: живлення AC; гніздо; штекерний; роз'єм живлення; 6А; 5200

866,07 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
конектори 6,3x0,8мм
Конструкція:
запобіжник x1; фільтр
Конденсатор: поліпропиленовий; для двигунів, роботи; 1,5мкФ
Конденсатор: поліпропиленовий; для двигунів, роботи; 1,5мкФ

143,82 грн

Виводи:
проводи
Висота:
65мм
Діаметр:
34мм
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 226Ом; 2x1,25x0,55мм
Резистор: thin film; 226Ом; 2x1,25x0,55мм

15,14 грн

Опір:
226Ом
Розміри корпусу:
2x1,25x0,55мм
Тип резистора:
thin film
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; ±5÷18ВDC,10÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; ±5÷18ВDC,10÷36ВDC; SO8

302,21 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
12мкВ
Діапазон напруги живлення:
± 5...18В DC; 10...36В DC
M63; 1.5; IP66,IP68; polyamide; grey; Cable gland: cable
M63; 1.5; IP66,IP68; polyamide; grey; Cable gland: cable

240,75 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
18мм
Зовнішній діаметр проводу:
29...35мм
Клас герметичності:
IP66; IP68
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 100мкГн; 110мА; R: 8Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 100мкГн; 110мА; R: 8Ом

10,07 грн

Високосортність:
40
Властивості дроселів:
висока вологостійкість
Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1812
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 44А; Idm: 176А; 329Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 44А; Idm: 176А; 329Вт; TO247-3

692,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт

1498,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
HIP247™
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А

476,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP

344,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 26А; Idm: 104А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 26А; Idm: 104А

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
24,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP