Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STW75N60M6
476,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW75N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 446Вт
Струм стока: 45А
Струм стоку в імпульсі: 288А
Технологія: MDmesh™ M6
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик

948,43 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Резистор: thick film; 150Ом; 3Вт; -55÷175°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 150Ом; 3Вт; -55÷175°C; 100ppm/°C

66,52 грн

Опір:
150Ом
Потужність:
3Вт
Робоча температура:
-55...175°C
Температурний коефіцієнт:
100ppm/°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A

111,51 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
4,8мм
Connector: wire-board; socket; male; data; Minitek; 2A; PIN: 16; 2mm
Connector: wire-board; socket; male; data; Minitek; 2A; PIN: 16; 2mm

76,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
відрізні з бобіни
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 111÷123В; 1,2А; односпрямована; SOD123F; SMF
Діод: TVS; 0,2кВт; 111÷123В; 1,2А; односпрямована; SOD123F; SMF

3,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMF; SOD123F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD