Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12А; 60Вт; TO220AB

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12А; 60Вт; TO220AB
Brand: ONSEMI
SKU: RFP12N10L
Price: 74.13 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: RFP12N10L

74,13 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

RFP12N10L

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Властивості напівпровідникових елементів:

logic level

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±10В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

0,2Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

60Вт

Струм стока:

12А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO251

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO262

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
65нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB

285,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18,5нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P

600,61 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
127нКл

Корпус:
TO3P

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet

Заряд затвора:
42нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс

349,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class

Заряд затвора:
21нКл