Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 136А; Idm: 283А; 156Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: TK65G10N1,RQ(S
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: TK65G10N1,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 81нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 136А
Струм стоку в імпульсі: 283А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Реактор: феритовий; 330мкГн; 1,3А; R: 450мОм; ±10%
Реактор: феритовий; 330мкГн; 1,3А; R: 450мОм; ±10%

45,62 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,33мГн
Опір:
0,45Ом
Робочий струм:
1,3А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 01005

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Суперконденсатор; THT; 7Ф; 2,7ВDC; Ø10x20мм; H: 20мм; Ø: 10мм; LR
Суперконденсатор; THT; 7Ф; 2,7ВDC; Ø10x20мм; H: 20мм; Ø: 10мм; LR

50,68 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
10мм
Ємність:
7Ф
Монтаж:
THT
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; SO8; 6мВ; ролик,cтрічка
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; SO8; 6мВ; ролик,cтрічка

17,74 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
широкосмуговий
Вхідна напруга зміщення нуля:
6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,4мкА
Недоступний
Роз’єм: HDC; штекерний + гніздовий; 16А; 500В; Han Kit; PIN: 10
Роз’єм: HDC; штекерний + гніздовий; 16А; 500В; Han Kit; PIN: 10

3557,40 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний + гніздовий
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Кількість пін:
10
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD