1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 145А; Idm: 580А; 208Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 145А; Idm: 580А; 208Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMK043N10LGS
55,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK043N10LGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 111,2нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 145А
Струм стоку в імпульсі: 580А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; I2C x2,SPI x2,UART x5; 1,8÷5,5ВDC
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; I2C x2,SPI x2,UART x5; 1,8÷5,5ВDC

96,30 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
CCP x3; PPS; ZCD
Генератор вбудований:
64МГц
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD

12,04 грн

Alias:
C0603C221K5GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

15,65 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™