Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

Немає в наявності
Код товару: CSD19538Q3AT
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD19538Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,3нКл
Корпус: VSONP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 49мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23Вт
Розміри: 3,3x3,3мм
Струм стока: 15А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; адаптер; 32А; білий; нікельований
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; адаптер; 32А; білий; нікельований

196,40 грн

Загальна довжина:
42мм
Колір:
білий
Конструкція кабелю/переходу:
банан 4мм вилка; банан 4мм гніздо
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; RK73B; 75В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; RK73B; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; SPST-NO; 12А; 12A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; SPST-NO; 12А; 12A/250ВAC

119,74 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
165В DC
Макс. струм контактів:
12А
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFE; 680нФ; 450ВDC; THT; ±5%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFE; 680нФ; 450ВDC; THT; ±5%; 15мм

12,92 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,68мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Резистор: thin film; 3,74кОм; 0603; 100мВт,167мВт; ±0,1%; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 3,74кОм; 0603; 100мВт,167мВт; ±0,1%; 25ppm/°C

10,64 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,74кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD