1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 15А; Idm: 60А; 41,7Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 15А; Idm: 60А; 41,7Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO15N10T1
31,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO15N10T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20,6нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 41,7Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Ланцюгова напрямна; MEDIUM; Рад.заг: 100мм; L: 1000мм; чорний
Ланцюгова напрямна; MEDIUM; Рад.заг: 100мм; L: 1000мм; чорний

3338,83 грн

Внутрішня висота:
31мм
Внутрішня ширина:
65мм
Довжина:
1м
Зовнішня висота:
43мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,7пФ
Перехідник різьблення для обтисків; Різьбл: метрична; M12; M20
Перехідник різьблення для обтисків; Різьбл: метрична; M12; M20

875,57 грн

Вид різьблення:
метрична
Внутрішня різьба:
M12
Зовнішня різьба:
M20
Крок різьби:
1,5
Недоступний
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,1пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 16ВDC; Ø6,3x7,7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 16ВDC; Ø6,3x7,7мм; ±20%

8,62 грн

Висота:
7,7мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0402

0,89 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK