1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO263; 72нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO263; 72нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTA180N10T
390,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA180N10T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 151нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 180А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 72нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

0,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,033мкФ; 1,25кВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,033мкФ; 1,25кВDC; THT; ±5%

22,17 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
20мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 330мкФ; 350ВDC; Ø30x30мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 330мкФ; 350ВDC; Ø30x30мм

146,35 грн

Висота:
30мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Гніздо; гніздовий; Iном: 9А; 600В; PIN: 2; 4,2мм; Iмакс: 9А; 16AWG
Гніздо; гніздовий; Iном: 9А; 600В; PIN: 2; 4,2мм; Iмакс: 9А; 16AWG

198,94 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
2
Колір:
чорний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805

24,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Heat shrink sleeve; semi-rigid; 3: 1; 50.8mm; black
Heat shrink sleeve; semi-rigid; 3: 1; 50.8mm; black

4035,10 грн

Діаметр після усадження:
19,05мм
Коефіцієнт усадження:
3:1
Колір:
чорний
Матеріал:
зшитий поліолефін POX
Недоступний
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO252