Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; 16Вт; TO262F

Немає в наявності
Код товару: AOWF412
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOWF412
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: TO262F
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 15,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 16Вт
Струм стока: 20А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; RS232; 1000кбіт/с; SO16
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; RS232; 1000кбіт/с; SO16

117,84 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер лінії; приймач
Інтерфейс:
RS232
Кількість приймачів:
2
Корпус:
SO16
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс

353,52 грн

Зворотна напруга макс.:
1кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,3В
Структура напівпровідника:
одиночний діод
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A

17,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,7мм
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8

19,20 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 8,89В; 220,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 8,89В; 220,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

130,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32

590,47 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMAC x8; PoR; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,6А; 1,8Вт; TO18
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,6А; 1,8Вт; TO18

0,00 грн

Корпус:
TO18
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
60В
Поляризація:
біполярний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

325,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3