Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 110А; 150Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRF540PBF
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 77мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; I2C x3,I2S x3,SPI x3,UART x6
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; I2C x3,I2S x3,SPI x3,UART x6

271,79 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMA; EPMP; PPS
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 4; 200А; 60°
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 4; 200А; 60°

45214,83 грн

Кількість всіх позицій:
4
Кількість полюсів:
2
Кількість фіксованих позицій:
4
Клас герметичності:
IP40 спереду
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -25÷85°C; 1,1÷1,17В
IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -25÷85°C; 1,1÷1,17В

4074,38 грн

Вид пам’яті:
LPDDR4; SDRAM
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,1...1,17В
Пам'ять:
16Гб DRAM
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А

287,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
165,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 90В; 125А; Idm: 500А; 166,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 90В; 125А; Idm: 500А; 166,7Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
74,9нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 75А; Idm: 300А; 125Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 75А; Idm: 300А; 125Вт; TO220-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
TO220-3