Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23,5А; 10,5Вт; TO262F

Немає в наявності
Код товару: AOWF296
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOWF296
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: TO262F
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 10,5Вт
Струм стока: 23,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷100А; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19
Амперметр; на панель; I AC: 0÷100А; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19

2236,44 грн

Вимір:
струму AC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
97мм
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

3,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,9пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 324Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 324Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 9,1мм; Кільк.зн: 1; червоний; анод
Дисплей: LED; 7-сегментний; 9,1мм; Кільк.зн: 1; червоний; анод

33,90 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
9,1мм
Довжина хвилі λd:
639нм
К-ть знаків:
1
Резистор: thick film; 73,2Ом; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 73,2Ом; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,25 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 14А; Idm: 56А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 14А; Idm: 56А; 42Вт; IPAK,TO251

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 42А; 32Вт; ITO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 42А; 32Вт; ITO220AB

150,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
ITO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96Вт; TO220-3

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 80А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 80А; 30Вт; TO220FP

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл