1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 14А; Idm: 56А; 42Вт; IPAK,TO251

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 14А; Idm: 56А; 42Вт; IPAK,TO251
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFU024PBF
86,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFU024PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 459Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 459Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа",М12 "мама"; вилка; 60В; 4А
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа",М12 "мама"; вилка; 60В; 4А

594,27 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 54,9кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В
Резистор: thick film; 54,9кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В

4,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
ROCKER; DPDT; (ON)-OFF-(ON); 5A/120ВAC; 5A/28ВDC; чорний; IP67
ROCKER; DPDT; (ON)-OFF-(ON); 5A/120ВAC; 5A/28ВDC; чорний; IP67

284,47 грн

Виводи:
для друку
Клас герметичності:
IP67
Колір клавіші:
чорний
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 10x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 10x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

106604,29 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Недоступний
Резистор: thick film; 36,5Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36,5Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
36,5Ом
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP