Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 100Вт; DPAK,TO252

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 100Вт; DPAK,TO252
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD26NF10
Price: 32.31 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: STD26NF10

32,31 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

STD26NF10

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

55нКл

Корпус:

DPAK; TO252

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

38мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

100Вт

Струм стока:

25А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
150нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ

Технологія:
SiC

Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
105нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,4нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
32,8нКл

Монтаж:
SMD