Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

Немає в наявності
Код товару: DI035N10PT
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI035N10PT
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: QFN3X3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB

13,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 560Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 560Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; адаптер; 32А; білий; нікельований
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; адаптер; 32А; білий; нікельований

196,40 грн

Загальна довжина:
42мм
Колір:
білий
Конструкція кабелю/переходу:
банан 4мм вилка; банан 4мм гніздо
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; RK73B; 75В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; RK73B; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; SPST-NO; 12А; 12A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; SPST-NO; 12А; 12A/250ВAC

119,74 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
165В DC
Макс. струм контактів:
12А
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFE; 680нФ; 450ВDC; THT; ±5%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFE; 680нФ; 450ВDC; THT; ±5%; 15мм

12,92 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,68мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Резистор: thin film; 3,74кОм; 0603; 100мВт,167мВт; ±0,1%; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 3,74кОм; 0603; 100мВт,167мВт; ±0,1%; 25ppm/°C

10,64 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,74кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD