Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; Idm: 144А; 56,8Вт; TO252

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO240N10LG2
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO240N10LG2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15,8нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56,8Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 144А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 600мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 600мА

852,13 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Зовнішні розміри:
21,8x9,2x11,1мм
Недоступний
Резистор: thick film; 365Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 365Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 600мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 600мА

393,44 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 715Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 715Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 374кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 374кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
374кОм
Недоступний
Модуль автоматики: живлення; -25÷60°C; IP20; 24ВDC; 15x100x70мм
Модуль автоматики: живлення; -25÷60°C; IP20; 24ВDC; 15x100x70мм

1737,84 грн

Відповідність стандарту:
ATEX Ex; CE; GL; IECEx; UL
Додаткові функції:
стан режиму роботи: LED
Зовнішні розміри:
15x100x70мм
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C

2,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK